Tunneldiod

Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2020-03)
Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan.

En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter.

Den uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han jobbade för Tokyo Tsushin Kogyo, numera Sony. Esaki fick 1973 fick nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder.

Dessa dioder har en kraftigt dopad PN-övergång som bara är typiskt 10 nm eller 100 Å bred. Den hårda dopningen resulterar i ett brutet bandgap där ledningsbandselektroner på n-sidan är mer eller mindre i nivå med valensbandet på p-sidan.

Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans.